TSM150NB04CR RLG
Tootja Toote Number:

TSM150NB04CR RLG

Product Overview

Tootja:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Osanumber:

TSM150NB04CR RLG-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 40 V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)

Inventuur:

5000 tk Uus Originaal Laos
12895249
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

TSM150NB04CR RLG Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Taiwan Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
40 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 41A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1092 pF @ 20 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-PDFN (5.2x5.75)
Pakett / ümbris
8-PowerLDFN
Põhitoote number
TSM150

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
TSM150NB04CR RLG

Lisainfo

Muud nimed
TSM150NB04CRRLGCT
TSM150NB04CRRLGTR
TSM150NB04CRRLGDKR
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
diodes

DMN3008SFG-13

MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333

diodes

DMTH10H010SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM220NB06LCR RLG

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM9N90ECI C0G

MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB